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此外，在已知晶圆中，器件区域中的器件可从平面晶圆表面**。划分这些器件的分割线可在器件之间形成至少微小的凹槽或沟道，从而导致不均匀的表面轮廓。

在研磨过程之前的传统上已知的切片中，晶圆首先从其正面沿着分割线被部分地切割(仅沿着晶圆的厚度的一部分)。随后，晶圆背面沿着晶圆厚度的其余部分进行研磨，其中晶圆尚未被切割，以沿着分割线将晶圆分割成分离的芯片或晶片。另外，这样的部分切割引入致使晶圆正面不均匀的表面轮廓。

当以常规的方式将保护膜或保护片附接至这样的不均匀晶圆表面时，出现的问题是，例如，由于存在凹槽、沟道或**部，不能有效地保护表面。特别是，保护膜不能可靠地密封周边晶圆部分处的晶圆表面，允许污染物(诸如碎片、研磨水或切割水)进入而污染表面。

为了实现诸如移动电话和个人计算机之类的电子设备的尺寸减小，半导体器件的尺寸必须减小。因此，具有形成在其上的器件的晶圆在上述研磨步骤中被研磨至μm范围(例如，从20μm到100μm的范围内)内的厚度。理想地，这样的研磨过程以高速执行，以提高晶圆处理效率。

在已知的半导体器件制造过程中，在特别是将晶圆高速地研磨至这样小的厚度的过程期间可能出现问题。具体地，研磨过程可能形成尖锐的晶圆边缘，这种尖锐的晶圆边缘作用为晶圆碎裂和破损的起始点，从而显着地影响所得到的芯片或晶片的质量。此外，在研磨之后用于分割晶圆的设备(诸如刀片或锯)可能由于布置在周边晶圆部分处的松散的小尺寸芯片的冲击而受损。这样的尖锐晶圆边缘还可能导致被研磨晶圆的储存和/或传送中的问题，例如，损坏其收纳容器(诸如晶圆盒等)。

为了解决与薄晶圆研磨相关的上述问题，已知在研磨晶圆之前在晶圆正面上执行边缘修整过程。在该过程中，切割晶圆的正面的外周边部分的至少一部分，以获取沿着晶圆圆周的台阶部分(例如，环形台阶部分)。通过提供这样的台阶部分，可以避免在研磨步骤中形成尖锐晶圆边缘。然而，对附加边缘修整步骤的要求致使晶圆处理方法更复杂并且降低了处理效率。

因此，仍然需要一种处理具有器件区域的晶圆的有效而可靠的方法，以允许较小化污染和损坏晶圆的任何风险。

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