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在半导体器件制造过程中,具有含多个器件的器件区域的晶圆通常由多条分割线划分,被分割成各个晶片。该制造过程通常包括用于调节晶圆厚度的研磨步骤以及沿着分割线切割晶圆以获取各个晶片的切割步骤。从晶圆的背面执行研磨步骤,背面与形成有器件区域的晶圆正面相对。而且,还可在晶圆的背面上进行其他处理步骤,诸如抛光和/或蚀刻。晶圆可从其正面或其背面沿着分割线切割。
为了保护晶圆背面或正面(特别是,形成在器件区域中的器件)例如免受碎片、研磨水或切割水的破损、变形和/或污染,在处理晶圆期间,保护膜或保护片可在处理之前施加到晶圆的背面或正面。
如果晶圆的相应侧面(例如,器件区域)具有不均匀的表面结构,则晶圆背面或正面(特别是,器件)的这种保护是特别重要的。
例如,在已知的半导体器件制造过程(诸如晶圆级芯片尺寸封装(WLCSP))中,晶圆的器件区域形成有从晶圆的平面表面**的多个**部(诸如凸块)。例如,这些**部用于例如在将晶片整合到诸如移动电话和个人计算机之类的电子设备中时与各个晶片中的器件建立电接触。
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