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特别优选地，所述保护膜的所述周边部分的所述至少一部分沿着所述晶圆的厚度的一部分(即，研磨之前的晶圆厚度)附接至所述晶圆的所述侧边缘的所述至少一部分，研磨之前的晶圆厚度等于或小于通过研磨或者通过研磨和抛光待获取的所述晶圆的厚度(即，研磨之后或研磨和抛光之后的晶圆厚度)。以这种方式，可以确保所述研磨设备(诸如研磨轮)和所述抛光设备(如果在研磨之后执行抛光步骤的话)不与附接至所述晶圆侧边缘的所述保护膜接触。因此，可以可靠地防止对该设备的任何损坏(诸如堵塞研磨轮或抛光轮)。

将所述保护膜附接至所述晶圆的所述一个侧面或所述晶圆的与所述一个侧面相对的所述侧面的步骤可包括：在将所述保护膜施加到所述晶圆的所述一个侧面或所述晶圆的与所述一个侧面相对的所述侧面期间和/或之后，将外部刺激施加到所述保护膜。在这种情况下，通过施加所述外部刺激来生成将所述保护膜保持在所述晶圆上的合适位置中的保护膜和晶圆之间的附接力。因此，不需要额外的粘合剂材料将所述保护膜附接至所述晶圆的所述一个侧面或所述晶圆的与所述一个侧面相对的所述侧面。

特别是，通过将所述外部刺激施加到所述保护膜，可在所述保护膜和所述晶圆之间形成形式配合(诸如形状配合)和/或材料结合(诸如粘合剂结合)。术语“材料结合”和“粘合剂结合”定义为由于作用在这两个部件之间的原子力和/或分子力而引起的保护膜和晶圆之间的附接或连接。

术语“粘合剂结合”涉及存在这些原子力和/或分子力，其起作用以将所述保护膜附接或粘附至所述晶圆，并不意味着在保护膜和晶圆之间存在附加粘合剂。相反，至少所述保护膜的所述前表面的所述*区域与所述晶圆的所述一个侧面或所述晶圆的与所述一个侧面相对的所述侧面直接接触，如上文详述。

通过以这种方式将所述保护膜附接至所述晶圆，可以进一步较小化污染和损坏所述晶圆(特别是，形成在所述器件区域中的器件)的任何风险。

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热CVD(HotCVD)/(thermalCVD)，此方法生产性高，梯状敷层性佳(不管多凹凸不平，深孔中的表面亦产生反应，及气体可到达表面而附着薄膜)等，故用途较广。膜生成原理，例如由挥发性金属卤化物(MX)及金属**化合物(MR)等在高温中气相化学反应(热分解，氢还原、氧化、替换反应等)在基板上形成氮化物、氧化物、碳化物、硅化物、硼化物、高熔点金属、金属、半导体等薄膜方法。因只在高温下反应故用途被限制，但由于其可用领域中，则可得致密高纯度物质膜，且附着强度很强，若用心控制，则可得安定薄膜即可轻易制得触须(短纤维)等，故其应用范围较广。热CVD法也可分成常压和低压。低压CVD适用于同时进行多片基片的处理，压力一般控制在0.25-2.0Torr之间。作为栅电极的多晶硅通常利用HCVD法将SiH4或Si2H。气体热分解（约650oC）淀积而成。采用选择氧化进行器件隔离时所使用的氮化硅薄膜也是用低压CVD法，利用氨和SiH4 或Si2H6反应面生成的，作为层间绝缘的SiO2薄膜是用SiH4和O2在400--4500oC的温度下形成SiH4+O2-SiO2+2H2或是用Si(OC2H5)4(TEOS:tetra ethoxy silanc)和O2在750oC左右的高温下反应生成的，后者即采用TEOS形成的SiO2膜具有台阶侧面部被覆性能好的优点。前者，在淀积的同时导入PH3 气体，就形成磷硅玻璃（ PSG： phosphor silicate glass）再导入B2H6气体就形成BPSG(borro ? phosphor silicate glass)膜。这两种薄膜材料，高温下的流动性好，广泛用来作为表面平坦性好的层间绝缘膜。

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