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溅镀( Sputtering Deposition ) 所谓溅射是用高速粒子(如氩离子等)撞击固体表面,将固体表面的
原子撞击出来,利用这一现象来形成薄膜的技术即让等离子体中的离子加速,撞击原料靶材,将撞击出的靶材原子淀积到对面的基片表面形成薄膜。溅射法与真空蒸发法相比有以下的特点:台阶部分的被覆性好,可形成大面积的均质薄膜,形成的薄膜,可获得和化合物靶材同一成分的薄膜,可获得绝缘薄膜和高熔点材料的薄膜,形成的薄膜和下层材料具有良好的密接性能。因而,电极和布线用的铝合金( Al-Si, Al-Si-Cu )等都是利用溅射法形成的。较常用的溅射法在平行平板电极间接上高频( 13.56MHz )电源,使氩气(压力为1Pa )离子化,在靶材溅射出来的原子淀积到放到另一侧电极上的基片上。为提高成膜速度, 通常利用磁场来增加离子的密度, 这种装置称为磁控溅射装置( magnetron sputter apparatus ),以高电压将通入惰性氩体游离,再藉由阴极电场加速吸引带正电的离子,撞击在阴极处的靶材,将欲镀物打出后沉积在基板上。一般均加磁场方式增加电子的游离路径,可增加气体的解离率,若靶材为金属,则使用DC 电场即可,若为非金属则因靶材表面累积正电荷,导致往后的正离子与之相斥而无法继续吸引正离子,所以改为RF 电场(因场的振荡频率变化太快,使正离子跟不上变化,而让RF-in 的地方呈现阴极效应)即可解决问题。wafer die|一片晶圆可以做多少个芯片|chip件是什么意思|一块晶圆能分多少芯片|一张wafer多少个die|chip和die区别|芯片为什么叫die|grossdie|半导体chip和die|不同wafer
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