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使用热塑性聚合物制造的临时键合材料通常用于 TB/DB 工艺。

当与载体衬底一起使用时，它们能够提供热机械稳定性，并使薄型器件衬底更易于处理。

然而，在更高的温度下，这些材料表现得更像液体，随着熔体粘度的降低，机械稳定性也逐渐消失，材料软化，从而降低了键合层的稳定性。

器件晶圆可能发生变形和分层，导致下游工艺出现问题【2】。

现在我们已经对先进封装目前所面临的一些挑战进行了高层次的研究，接下来，我们将更深入地探索其中的一些技术。

* II 部分将研究chip-first和chip-last工艺程流之间的区别，以及为什么后者更受关注和欢迎。

Chip-First或Chip-Last流程

两类主要的扇出型晶圆级封装 (FOWLP) 技术是chip-first和chip-last工艺，又称 RDL-first。

chip-first和chip-last工艺流程都需要高温和高真空工艺来创建重分布层 (RDL)。

当今的 FOWLP 工艺所需的材料需要能够承受高温和恶劣的化学环境，同时保持对器件衬底的机械支持。

对于chip-first工艺来说，在热压过程中，先将单一芯片放置在用临时键合材料或热释放胶带 (TRT) 处理过的衬底上，然后再用环氧树脂成型化合物 (EMC) 包覆成型并固化。

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